什么是场效应晶体管
场效应晶体管（简称FET）是一种通过向栅电极施加电压并创建电子或空穴通过电场流经的栅极（gate）来控制源极和漏极电流的晶体管就晶体管的分类而言，它们被归类为单极晶体管，而不是双极晶体管。

由于场效应晶体管具有由置于栅极下方的绝缘层形成的电容器结构，因此与仅具有已知层的类似AC电容器的结型晶体管相比，其具有操作速度较慢且传输电导(gm)较低的问题，但栅极电流具有几乎为零抗拉强度的优点，比结型晶体管更适合高密度集成，因为其结构至关重要，因此正在成为现代集成电路的主流，也应用于模拟除了逻辑电路元件的集成电路之外，还使用开关/电子卷等，使用使用迁移率快的砷化镓(GaAs)等化合物半导体的FET。

场效应晶体管

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
在 4 端子型（MOS（金属氧化物半导体）型）中，每个端子都是源极、栅极、漏极、背栅（或体），而在 3 端子 FET 的情况下，源极由于是对称器件，源极和漏极没有结构差异，加电压时比较两端，高压侧为漏极，低压侧为源极，反之亦然。如下所示，场效应晶体管按材料和阈值电压的不同有多种类型，但应用最广泛的是使用硅的增强型MOS型（以下简称MOS），因此除非另有说明，场效应晶体管效应晶体管晶体管是指硅MOS（SiCMOS）。

场效应晶体管的类型
按栅极结结构分类
金属氧化物半导体型（金属氧化物半导体FET、MOSFET）：栅极部分是半导体氧化膜上的金属电极，是正在成为当前集成电路主流的器件，是电路的情况具有相同 p/n 形状的两种类型统称为 CMOS（互补 MOS，互补 MOS）。
结型（JunctionFET、JFET）：栅极部分与普通晶体管一样成为异质半导体的结面，工作原理与MOS不同，因此电流由其上形成的已知层控制接合面。
金属半导体型（MetalSemiconductorFET、MESFET）：栅极部分与金属电极和半导体集成。
按栅极电压和漏极电流分类
增强类型=常关型：当未施加栅极电压时，沟道不存在，漏极电流不流动。
Depletiontype=normallyontype：未施加栅极电压时，沟道存在，漏极电流流动。